核心观点：本轮由美光、闪迪领涨的存储涨价潮，并非传统周期的简单重复，而是AI革命驱动下的结构性供需失衡。#其持续性与强度将远超上一轮由智能手机和通用服务器驱动的行情，#有望开启一个由高性能、高带宽存储需求主导的“超级周期”。

复盘对比与上一轮行情的同与不同，本质是范式转换。

1）相同点：涨价表象与周期旗号

价格暴涨：两轮行情均出现产品价格在短期内飙升，并伴随原厂减产、暂停报价等操控手段。

龙头领涨：均由三星、海力士、美光等巨头主导涨价节奏，通过调节产能影响全球供需。

2）不同点：驱动逻辑与行情内核的质变

需求驱动内核不同：

上轮（2016-2018）：核心是智能手机换机潮与云计算数据中心普及带来的周期性、普适性需求，需求本质是“量的增长”。

本轮：核心是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的#结构性、爆发性需求。#其特点是不仅“量增”，#更是对存储性能（带宽、速度）的极致追求，#直接拉动HBM、高性能DDR5、PCIe5.0/6.0SSD等高端品类。AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍，价值量显著提升。

供给调整逻辑不同：

上轮：产能调整多为通用制程的周期性开与关，旨在清理库存、应对价格波动。

本轮：巨头们战略性将产能永久性转向技术壁垒和利润更高的HBM、DDR5等产品，主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能。这导致传统领域出现永久性供给缺口，涨价并非短期行为。

行情持续性的根基不同：

▪上轮：需求与宏观经济和消费电子周期高度绑定，行情随智能手机市场饱和而消退。

▪本轮：需求由AI技术革命驱动，#这是十年维度的产业趋势，可见度高、持续性强。数据中心为应对HDD短缺（交期拉长至52周以上）而加速向SSD迁移，进一步巩固了需求韧性。

需求端完成从“成本导向”到“性能优先”的根本性转变。AI推理训练对数据吞吐及延迟的刚性要求，推动下游客户采购标准从“每GB成本”转向“每IOPS性能”，愿意为HBM及高性能SSD支付显著溢价，极大提升存储产品价值量与价格容忍度。

供给端呈现高端产能高壁垒与格局固化特征。#HBM等高端芯片仅三星、海力士、美光三家可大规模量产，#且产能已被英伟达、AMD等头部客户长期锁定。#“寡头垄断+产能预售”格局使高端供给持续紧张，#价格易涨难跌。

重点关注三条主线

1）布局DDR5/HBM先进技术的龙头；2）受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；3）企业级SSD替代受益标的。

相关标的：

存储模组：开普云（金泰克）、德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创；

存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份。

提示：以上内容为个人观点，仅供参考，不构成投资建议。股市有风险，交易需谨慎!

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